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Philips Semiconductors Product specification
Rectifier diodes BYQ30E, BYQ30EB, BYQ30ED series
ultrafast, rugged
ESD LIMITING VALUE
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
VC
Electrostatic discharge Human body model; - 8 kV
capacitor voltage C = 250 pF; R = 1.5 kΩ
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
Rth j-mb
Thermal resistance junction per diode - - 3 K/W
to mounting base both diodes - - 2.5 K/W
Thermal resistance junction SOT78 package, in free air - 60 - K/W
to ambient SOT404 and SOT428 packages, pcb - 50 - K/W
mounted, minimum footprint, FR4 board
Rth j-a
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
All characteristics are per diode at Tj
= 25 ?C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
VF
Forward voltage IF
= 8 A; T
j
= 150?C - 0.84 0.95 V
IF
= 16 A; T
j
= 150?C - 1 1.15 V
IF
= 16 A - 1.12 1.25 V
Reverse current VR
= V
RWM
-430μA
VR
= V
RWM; Tj
= 100?C - 0.3 0.6 mA
Reverse recovered charge I
= 2 A; V
≥
30 V; -dI
/dt = 20 A/μs-411nC
Reverse recovery time IF
R
F
F
= 1 A; V
R
≥
30 V; -dI
F/dt = 100 A/μs2025ns
Reverse recovery time IF
= 0.5 A to I
R
= 1 A; I
rec
= 0.25 A - 12 22 ns
Forward recovery voltage IF
= 1 A; dI
F/dt = 10 A/μs-1-V
IR
Q
t
rr
trr1
Vrr2fr
October 1998 2 Rev 1.200
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